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LED外延片成长工艺的解决方案

LED外延片成长工艺的解决方案

今天,我们将讨论LED外延片的发展过程。在小型集成电路的早期,每个6英寸外延晶片上制造了数千个芯片。如今,8微米线宽的大尺寸超大规模集成电路(VLSI)也被用于每个8?外延片。只能完成一到两百个大芯片。虽然外延片的制造已投入数百亿,但它是所有电子行业的基础。 TR 对于硅晶柱的生长,首先需要将相对高纯度的硅矿石放入炉中并添加预定的金属物质,以使生成的硅晶柱具有所需的电性能,然后需要所有的物质。熔化后,它将长成单晶硅柱。以下将介绍所有列增长过程:
晶体生长主程序:
1.熔化(MELtDown)
该方法是将放置在石英坩埚中的块状多晶硅加热到1420摄氏度的熔化温度以上。这个阶段最重要的参数是坩埚的位置和热量的供应。熔化多晶硅的功率大,石英坩埚的寿命将减少,如果功率太低,熔化过程需要太长时间,影响整体生产能力。 TR 2.颈部增长
在硅熔体的温度稳定后,将该方向的晶种逐渐注入液体中,然后将晶种拉出,直径减小到一定值(约6mm),直径为保持并且长度为10-20厘米,消除晶种内的位错。这种无位错控制主要是为了限制颈部生长的位移。 TR 3,皇冠成长(Crown Growth)
颈部完成后,慢慢降低速度和温度,逐渐将颈部直径增大到所需的大小。 TR 4.晶体生长(身体生长)
通过调节拉速和温度变化来保持固定的铸锭直径,因此坩埚必须连续升高以保持固定的液位,因此从坩埚传递到铸锭和液体表面的辐射热将逐渐增加。该辐射热源将使固体界面的温度梯度逐渐降低,因此必须逐渐降低铸锭生长阶段的拉速,以避免铸锭的变形。 TR5.尾巴增长
当晶体生长到固定(所需)长度时,晶锭的直径必须逐渐减小,直到它与液体表面分离,以避免由于热应力引起的位移和滑动表面的差异。 TR 切割:
在晶棒生长之后,可以将其切割成片,即外延晶片。芯片即晶片是半导体元件“芯片或芯片”的衬底。拉伸和拉伸的高纯度硅晶体柱(Crystal Ingot)是圆形片,称为外延晶片(外延片)。 。 TR 外延:
砷?根据工艺,外延可分为LPE(液相外延),MOCVD(有机金属气相外延)和MBE(分子束外延)。 LPE技术相对较低,主要用于一般发光二极管,而MBE具有较高的技术水平,易于生长极薄的外延,纯度高,平整度好,但生产能力低,外延生长速度慢。除了高纯度和良好的平整度之外,MOCVD具有比MBE更高的大规模生产能力和外延生长速率,因此它们中的大多数现在通过MOCVD生产。 TR 该过程开始于将GaAs衬底放置在昂贵的有机化学气相沉积炉(MOCVD,也称为外延炉)中,然后是III族和II族金属元素的烷基化合物(甲基或乙基化物)蒸气。对于非金属(V或VI元素)氢化物(或烷基)气体,在高温下发生热解反应以形成沉积在基板上的III-V或II-VI化合物,并生长层。化合物半导体外延层,其厚度仅为几微米(1mm=1000μm)。具有外延层的GaAs晶片也称为外延晶片。在芯片处理外延晶片之后,它可以发出非常纯的单色光,例如红色或黄色。不同的材料,不同的生长条件和不同的外延层结构可以改变光的颜色和亮度。实际上,在几微米厚的外延层中,真正的发光仅为几百纳米(1微米=1000nm)厚的量子阱结构。 TR反应式:Ga(CH3)3 PH3=GaP3CH4